2023-05-04

IC(集積回路)=積體電路

ICはIntegraged Circuitの頭文字である。
半導体デバイス、ひいてはエレクトロニクスの代表が、この「集積回路」つまりICである。

ICの主な材料はシリコン(珪素、Si)です。
地球を構成している元素としては酸素(46.6%)についで二番目に多い物質(27.2%)です。

シリコン(珪素、Si)は代表的な半導体です。
半導体(はんどうたい)とは、
電気を通す導体や電気を通さない絶縁体に対して、それらの中間的な性質を示す物質である。
半導体では、電気抵抗が外部からの刺激で、恐ろしく敏感に変化するのが特色です。

シリカ(silica、砂)からシリコン単結晶を育成し、
デバイス製造プロセスを経てエレクトロニックス・デバイスに成長するまでの道程は200以上の工程を含むことです。

電気回路の例(懐中電灯)
各部品の役目:
電池、電気供給
配線、電気を伝える
スイッチ、電気を流したり止めたりする
可変抵抗、流れる電気の量を調節する
豆電球、流れてくる電気の量に応じて光る

多くの回路素子が一つの基板上、あるいは基板内に、
結合(げつごう、集積、分離不能の状態で)されている超小型ので電子回路のことである。

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IC(Integraged Circuit)集積回路
エレクトロニクス(electronics)電子(技術)
電子部品、素子、エレメント(element)元件
フィラメント(filamaent)陰極
デバイス(device)元件、設備

半導体の単体と複数元素:
シリコン(珪素、Si)矽
ゲルマニウム(germanium)鍺
セレン(selen)硒
亜酸化銅(Cu2O)氧化亞銅
硫化カドミウム 硫化鉻
ガリウム・ヒ素 砷化鎵
インジウム・アンチモン 銦碲





シリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである
一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)などの業界団体で標準化されており、直径150mm(6インチ)の場合は厚さ0.625mm、200mm(8インチ)では厚さ0.725mm、300mm(12インチ)では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。
晶圓越大,同一圓片上可生產的IC就越多,可降低成本;但對材料技術和生產技術的要求更高。一般認為矽晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有更好的技術.在生產晶圓的過程當中,良品率是很重要的條件。






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圖片來源:http://www.itp-info.jp/images/img_03_02.jpg